Учёные из департамента электроники и электротехники университетского колледжа Лондона (Department of electronic and electrical engineering, UCL) придумали новый метод создания диоксида кремния — одного из основных компонентов микросхем, который (метод) позволит в будущем заметно сократить их стоимость.

При комнатной температуре диоксид кремния формируется медленно, потому, для ускорения процесса, производители чипов нагреваю

Реклама

т кремниевые пластины до 900-1200 градусов Цельсия в присутствии кислорода. Этот процесс требует много энергии, а её затраты становятся составной частью конечной цены чипа.

Кроме того, нагрев приводит к частичному размягчению пластинки, и если на ней уже находятся выполненные (при помощи легирования кремния) элементы схемы, они могут "смешаться", что является одним из факторов, ограничивающих минимальные размеры элементов схемы и дистанции между ними.

Британские физики поставили кремниевую пластину под поток ультрафиолета с длиной волны 126 нанометров, от аргоновой газоразрядной лампы, напоминающей обычную лампу дневного света. Этот ультрафиолет был "нужен" не самому кремнию, а молекулам кислорода, окружающим его. Ультрафиолет разделял О₂ на атомарный кислород, который великолепно окислял кремний при комнатной температуре.

Эта технология сулит колоссальную экономию электричества и, потенциально, снижение цен на электронику, а также — новый скачок плотности схем. Правда, прежде, чем "ультрафиолетовый окислитель" дойдёт до массового применения, нужно будет проверить его в реальной обстановке "чистой комнаты", а также убедиться, что ультрафиолет не создаёт в самой пластине дефектов.

Авторы эксперимента говорят, что подобное применение ультрафиолетовых ламп уже предлагалось ранее, но получаемые при этом дефекты в кремнии остановили исследователей. А секрет, мол, был в правильном и точном выборе частоты излучения внутри ультрафиолетовой части спектра.

membrana.ru